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1
Ion Beam Modification of Materials
Elsevier Science Ltd
J.S. Williams
,
R.G. Elliman and M.C. Ridgway (Eds.)
implantation
implanted
ions
temperature
surface
dose
phys
layer
samples
annealing
films
atoms
instr
depth
sample
observed
defects
nucl
meth
irradiation
range
mev
shown
substrate
silicon
deposition
spectra
peak
materials
layers
amorphous
density
shows
formation
electron
growth
rate
appl
effect
obtained
temperatures
induced
current
diamond
experimental
gaas
function
figure
rbs
measured
Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 264.38 MB
Vos balises:
0
/
0
english, 1996
2
Materials Science with Ion Beams
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
R. S. Averback
,
P. Bellon (auth.)
,
Harry Bernas (eds.)
defects
irradiation
surface
temperature
phys
implantation
annealing
implanted
diffusion
silicon
formation
dose
ions
amorphous
different
appl
clusters
interstitial
materials
observed
induced
shown
magnetic
layer
amorphization
growth
range
processes
atoms
surfaces
evolution
thermal
samples
solid
optical
ibiec
cavities
sample
vacancy
temperatures
behavior
effects
crystalline
rate
irradiated
function
mater
extended
electron
atomic
Année:
2010
Langue:
english
Fichier:
PDF, 10.51 MB
Vos balises:
0
/
0
english, 2010
3
Materials science with ion beams
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
R. S. Averback
,
P. Bellon (auth.)
,
Harry Bernas (eds.)
defects
irradiation
surface
temperature
phys
implantation
annealing
implanted
diffusion
silicon
formation
dose
ions
amorphous
different
appl
clusters
interstitial
materials
observed
induced
shown
magnetic
layer
amorphization
growth
range
processes
atoms
surfaces
evolution
thermal
samples
solid
optical
ibiec
cavities
sample
vacancy
temperatures
behavior
effects
crystalline
rate
irradiated
function
mater
extended
electron
atomic
Année:
2010
Langue:
english
Fichier:
PDF, 8.42 MB
Vos balises:
0
/
0
english, 2010
4
Materials Science with Ion Beams
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
R. S. Averback
,
P. Bellon (auth.)
,
Harry Bernas (eds.)
defects
irradiation
surface
temperature
phys
implantation
annealing
implanted
diffusion
silicon
formation
dose
ions
amorphous
different
appl
clusters
interstitial
materials
observed
induced
shown
magnetic
layer
amorphization
growth
range
processes
atoms
surfaces
evolution
thermal
samples
solid
optical
ibiec
cavities
sample
vacancy
temperatures
behavior
effects
crystalline
rate
irradiated
function
mater
extended
electron
atomic
Année:
2010
Langue:
english
Fichier:
PDF, 9.50 MB
Vos balises:
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0
english, 2010
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